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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-3P | 包装说明： | TO-3P, 3 PIN |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 4 A | 集电极-发射极最大电压： | 500 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 15 |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 功耗环境最大值： | 60 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 60 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 18 MHz |
| 最大开启时间（吨）： | 500 ns | VCEsat-Max： | 1 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC5023 | SAMSUNG |
获取价格 |
NPN (HIGH VOLTAGE, HIGH QUALITY) |
|
| KSC5024 | SAMSUNG |
获取价格 |
NPN (HIGH VOLTAGE AND HIGH RELIABILITY) |
|
| KSC5024 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Voltage and High Reliabilty |
|
| KSC5024O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5024-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5024OTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5024R | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5024RTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5024Y | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
|
| KSC5024YTU | FAIRCHILD |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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