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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC5020Y
KSC5020Y PDF预览

KSC5020Y

更新时间： 2024-11-02 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
页数 文件大小 规格书
5页 56K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC5020Y 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.89最大集电极电流 (IC)：3 A
集电极-发射极最大电压：500 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：30JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：18 MHzBase Number Matches：1

KSC5020Y 数据手册

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KSC5020  
High Voltage, High Quality  
•
•
High Speed Switching : t =0.1µs  
Wide SOA  
F
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
800  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
500  
7
V
I
I
3
A
C
6
A
CP  
B
I
1
40  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
I
I
I
= 1mA, I = 0  
800  
500  
7
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
C
C
E
C
E
BV  
BV  
= 5mA, I = 0  
B
= 1mA, I = 0  
C
V
(sus)  
= 1.5A, I =-I = 0.6A  
500  
CEX  
B1  
B2  
L = 2mH, Clamped  
I
I
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
V
V
= 500V, I = 0  
10  
10  
50  
µA  
µA  
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
= 5V, I = 0  
C
h
h
V
V
= 5V, I = 0.3A  
15  
8
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 1.5A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
Output Capacitance  
I
I
= 1.5A, I = 0.3A  
1
V
V
CE  
C
C
B
= 1.5A, I = 0.3A  
1.5  
BE  
B
C
V
V
V
= 10V, f = 1MHz  
50  
18  
pF  
MHz  
µs  
ob  
CB  
CE  
CC  
f
t
t
t
Current Gain Bandwidth Product  
Turn On Time  
= 10V, I = 0.3A  
T
C
= 200V  
0.5  
3
ON  
I =5I = -2.5I =2A  
Storage Time  
C
B1  
B2  
µs  
STG  
F
R = 100Ω  
L
Fall Time  
0.3  
µs  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
15 ~ 30  
20 ~ 40  
30 ~ 50  
FE1  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, December 2002  
12345

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC5020-Y SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5020YJ69Z FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,
KSC5021 SAMSUNG

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KSC5021 ISC

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
KSC5021F-O FAIRCHILD

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 		5 A, 500 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR
KSC5021FOTU FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,

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