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KSC2331RTA

更新时间： 2024-11-02 19:58:23

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		/
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3页	103K
描述
Transistor

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KSC2331RTA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	0.7 A
配置：	Single	最小直流电流增益 (hFE)：	40
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	1 W	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

KSC2331RTA 数据手册

December 2011

KSC2331

NPN Epitaxial Silicon Transistor

Features

• Low Frequency Amplifier & Medium Speed Switching

• Complement to KSA931

• High Collector-Base Voltage : V_CBO=80V

• Collector Current : I_C=700mA

• Collector Dissipation : P_C=1W

TO-92L

1. Emitter 2. Collector 3. Base

Absolute Maximum Ratings T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

700

P_C

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

T_J

150

°C

T_STG

-55 to 150

Electrical Characteristics T_a= 25°C unless otherwise noted

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max. Units

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C=100μA, I_E=0

Collector-Emitter Breakdown Voltage I_C=10mA, I_B=0

Emitter-Base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

DC Current Gain

I_E=10μA, I_C=0

V_CB=60V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

0.1

μA

I_EBO

h_FE

V_CE=2V, I_C=50mA

240

0.7

_CE(sat)

_BE(sat)

Collector-Emitter Saturation Voltage I_C=500mA, I_B=50mA

0.2

Base-Emitter Saturation Voltage

I_C=500mA, I_B=50mA

0.86

1.20

Classification

h_FE

40 ~ 80

70 ~ 140

120 ~ 240

KSC2331 Rev. B0

www.fairchildsemi.com

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KSC2331YSHTA	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L,
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