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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.69 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 7 A | 集电极-发射极最大电压： | 100 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 70 |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | NPN | 功耗环境最大值： | 40 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 2000 ns | 最大开启时间（吨）： | 500 ns |
| VCEsat-Max： | 0.6 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| KSC2334OTU | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC2334-R | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC2334Y | ONSEMI | NPN外延硅晶体管 |
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| KSC2334YTU | FAIRCHILD | NPN Epitaxial Silicon Transistor, 3LD, TO220, JEDEC, MOLDED, 1000/RAIL |
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| KSC2334YTU | ONSEMI | NPN外延硅晶体管 |
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| KSC2335 | FAIRCHILD | High Speed, High Voltage Switching |
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| KSC2335F | FAIRCHILD | High Speed, High Voltage Switching |
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| KSC2335F | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC2335FO | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC2335F-O | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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| KSC2335FR | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC2335F-R | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC2335FRTU | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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| KSC2335F-Y | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC2335FYTU | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, |
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| KSC2335-O | SAMSUNG | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC2335OTU | FAIRCHILD | 暂无描述 |
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| KSC2335OTU | ROCHESTER | 7A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN |
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| KSC2335R | FAIRCHILD | Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast |
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| KSC2335R | ONSEMI | Power Bipolar Transistor |
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