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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC2334OTU
KSC2334OTU PDF预览

KSC2334OTU

更新时间： 2024-02-10 12:19:34
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
4页 51K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC2334OTU 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.28
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：100 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：120
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON

KSC2334OTU 数据手册

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KSC2334  
High Speed Switching Industrial Use  
•
Complement to KSA1010  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
150  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
100  
7
V
I
7
15  
A
C
I
I
A
CP  
B
3.5  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.5  
A
T
T
Junction Temperature  
150  
J
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤300µs, Duty Cycle≤10%  
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
100  
100  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
I
= 5A, I = 0.5A, L = 1mH  
V
V
CEO  
C
C
B1  
V
(sus)1  
= 5A, I = -I = 0.5A  
B1 B2  
CEX  
V
(off) = -5V, L = 180µH, Clamped  
BE  
V
(sus)2  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
= 10A, I =1A, I = -0.5A,  
100  
V
CEX  
C
B1  
B2  
V
V
V
(off) = -5V, L = 180µH, Clamped  
BE  
CB  
CE  
I
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
= 100, I = 0  
10  
1
µA  
CBO  
E
I
= 100V, R = 51Ω@T =125°C  
mA  
CER  
BE  
C
I
I
V
V
= 100V, V (off) = -1.5V  
10  
1
µA  
mA  
CEX1  
CEX2  
CE  
CE  
BE  
= 100V, V (off) = -1.5V  
BE  
@ T = 125°C  
C
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
10  
µA  
EBO  
EB  
C
h
h
h
V
V
V
= 5V, I = 0.5A  
40  
40  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 3A  
240  
C
= 5V, I = 5A  
FE3  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn On Time  
I
I
= 5A, I = 0.5A  
0.6  
1.5  
0.5  
0.5  
1.5  
V
V
CE  
BE  
C
C
B
= 5A, I = 0.5A  
B
t
t
t
V
I
= 50V, I = 5A  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
= -I = 0.5A  
Storage Time  
B1  
B2  
STG  
F
R = 10Ω  
L
Fall Time  
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2%Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE2  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, August 2001  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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