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KSC2335Y PDF预览

KSC2335Y

更新时间： 2024-01-01 12:04:24
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 57K
描述
Power Bipolar Transistor

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KSC2335Y 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.29
最大集电极电流 (IC)：7 A集电极-发射极最大电压：400 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：40 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KSC2335Y 数据手册

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KSC2335  
High Speed, High Voltage Switching  
•
Industrial Use  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
500  
V
V
V CEO  
VEBO  
IC  
400  
7
V
7
15  
A
ICP  
A
IB  
3.5  
A
PC  
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.5  
W
W
°C  
°C  
a
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
C
C
TJ  
Junction Temperature  
150  
TSTG  
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
* PW≤300µs, Duty Cycle≤10%  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
400  
450  
Max.  
Units  
V
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
I
= 3A, I = 0.6A, L = 1mH  
V
V
CEO  
C
C
B1  
(sus)1  
= 3A, I = -I = 0.6A  
B1 B2  
CEX  
V
(off) = -5V, L = 180µH, Clamped  
BE  
V
(sus)2  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
= 6A,I = 2A, I = -0.6A  
400  
V
CEX  
C
B1  
B2  
V
V
V
(off) = -5V, L = 180µH, Clamped  
BE  
CB  
CE  
I
I
I
I
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
= 400V, I = 0  
10  
1
µA  
mA  
µA  
CBO  
CER  
E
= 400V, R = 51Ω @ T =125°C  
BE  
C
V
= 400V, V (off)= -1.5V  
10  
1
CEX1  
CEX2  
CE  
BE  
V
= 400V, V (off)= -1.5V @  
mA  
CE  
BE  
T =125°C  
C
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
10  
µA  
EBO  
EB  
C
h
h
h
V
V
V
= 5V, I = 0.1A  
20  
20  
10  
80  
80  
1
FE  
CE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 1A  
FE2  
FE3  
C
= 5V, I = 3A  
C
V
V
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn ON Time  
I
I
= 3A, I = 0.6A  
1
1.2  
1
V
V
CE  
BE  
C
C
B
(sat)  
= 3A, I = 0.6A  
B
t
t
t
V
I
=150V, I = 3A  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
= -I = 0.6A  
Storage Time  
B1  
B2  
2.5  
1
STG  
F
R = 50Ω  
L
Fall Time  
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2% Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
20 ~ 40  
30 ~ 60  
40 ~ 80  
FE2  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
KSC2335-Y SAMSUNG 7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN

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