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KSC2383OTA_NL

更新时间： 2024-01-10 09:45:42
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 50K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L, 3 PIN

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KSC2383OTA_NL 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92L包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.52最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：160 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.9 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

KSC2383OTA_NL 数据手册

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KSC2383  
Color TV Audio Output & Color TV Vertical  
Deflection Output  
TO-92L  
1. Emitter 2. Collector 3. Base  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
160  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
V
CBO  
160  
CEO  
EBO  
6
V
I
I
1
A
C
Base Current  
0.5  
A
B
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
900  
mW  
°C  
°C  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
I
I
V
V
=150V, I =0  
1
1
µA  
µA  
V
CBO  
EBO  
CB  
EB  
E
=6V, I =0  
C
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
DC Current Gain  
I =10mA, I =0  
160  
60  
CEO  
C
B
h
V
=5V, I =200mA  
320  
1.5  
FE  
CE  
C
V
V
(sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I =500mA, I =50mA  
V
V
CE  
C
B
(on)  
V
=5V, I =5mA  
0.45  
20  
0.75  
BE  
CE  
CE  
CB  
C
f
V
V
=5V, I =200mA  
100  
MHz  
pF  
T
C
C
=10V, I =0, f=1MHz  
20  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
60 ~ 120  
100 ~ 200  
160 ~ 320  
FE  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, September 2002  
12345

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