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| 是否无铅： | 不含铅 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 1.17 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 1 A | 集电极-发射极最大电压： | 160 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 160 |
| JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.9 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | AMPLIFIER | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| 2SC2855 | HITACHI |
功能相似  |
Silicon NPN Epitaxial |
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| 2SD655 | HITACHI |
功能相似 |
Silicon NPN Epitaxial |
|
| JC501 | NXP |
功能相似 |
NPN general purpose transistor |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KSC2383L | SECOS |
获取价格 |
1A , 160V NPN Plastic Encapsulated Transistor |
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| KSC2383L_15 | SECOS |
获取价格 |
NPN Plastic Encapsulated Transistor |
|
| KSC2383L-O | SECOS |
获取价格 |
1A , 160V NPN Plastic Encapsulated Transistor |
|
| KSC2383L-R | SECOS |
获取价格 |
1A , 160V NPN Plastic Encapsulated Transistor |
|
| KSC2383L-Y | SECOS |
获取价格 |
1A , 160V NPN Plastic Encapsulated Transistor |
|
| KSC2383O | FAIRCHILD |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92L, |
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| KSC2383-O | SAMSUNG |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92, T |
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| KSC2383OBU | FAIRCHILD |
获取价格 |
FAIRCHILD Small Signal Transistors |
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| KSC2383OTA | FAIRCHILD |
获取价格 |
FAIRCHILD Small Signal Transistors |
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| KSC2383OTA | ONSEMI |
获取价格 |
NPN 外延硅晶体管 |
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