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KSC2335F-R

更新时间： 2024-02-01 19:21:16

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		局域网开关晶体管
页数	文件大小	规格书
1页	40K
描述
Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin

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KSC2335F-R 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.32
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	7 A
集电极-发射极最大电压：	400 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	10	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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KSC2335F-Y	SAMSUNG	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
KSC2335FYTU	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy,	获取价格
KSC2335-O	SAMSUNG	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
KSC2335OTU	FAIRCHILD	暂无描述	获取价格
KSC2335OTU	ROCHESTER	7A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	获取价格
KSC2335R	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
KSC2335R	ONSEMI	Power Bipolar Transistor	获取价格
KSC2335-R	FAIRCHILD	暂无描述	获取价格
KSC2335RTU	ROCHESTER	7A, 400V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB, TO-220, 3 PIN	获取价格
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KSC2335Y	ONSEMI	Power Bipolar Transistor	获取价格
KSC2335-Y	SAMSUNG	7 A, 400 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220, TO-220, 3 PIN	获取价格
KSC2335YTU	FAIRCHILD	Power Bipolar Transistor, 7A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast	获取价格
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