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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC2333YTU
KSC2333YTU PDF预览

KSC2333YTU

更新时间： 2024-02-05 22:34:04
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关晶体管功率双极晶体管局域网
页数 文件大小 规格书
5页 59K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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KSC2333YTU 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Transferred零件包装代码：TO-220
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.67
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：400 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：40JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：15 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSC2333YTU 数据手册

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KSC2333  
High Speed Switching Application  
•
•
Low Collector Saturation Voltage  
Specified of Reverse Biased SOA With Inductive Load  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
500  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
400  
7
V
I
2
A
C
I
I
4
A
CP  
B
1
15  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
W
°C  
°C  
C
C
T
T
Junction Temperature  
150  
J
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
*PW≤350µs, Duty Cycle≤10%  
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
400  
450  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
I
= 0.5A, I =0.1A, L = 1mH  
V
V
CEO  
C
C
B
V
(sus)1  
= 0.5A, I = -I = 0.1A  
B1 B2  
CEX  
T
= 125°C, L = 180µH, clamped  
C
V
(sus)2  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
= 1A, I = 0.2A, -I =0.2A  
400  
V
CEX  
C
B1  
B2  
T = 125°C, L = 180µH, clamped  
C
I
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
V
V
V
V
= 400V, I = 0  
10  
1
µA  
mA  
µA  
CBO  
CB  
CE  
CE  
CE  
E
I
I
I
= 400V, R =51Ω, T = 125°C  
BE C  
CER  
= 400V, V (off) = -5V  
10  
1
CEX1  
CEX2  
BE  
= 400V, V (off) = -5V @  
mA  
BE  
T
= 125°C  
C
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
10  
80  
µA  
EBO  
EB  
C
h
h
V
V
= 5V, I = 0.1A  
20  
10  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 0.5A  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn ON Time  
I
I
= 0.5A, I = 0.1A  
1
1.2  
1
V
V
CE  
C
C
B
= 0.5A, I = 0.1A  
BE  
B
t
t
t
V
I
= 150V, I = 0.5A  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
= - I = 0.1A  
Storage Time  
B1  
B2  
2.5  
1
STG  
F
R = 300Ω  
L
Fall Time  
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2%Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
20 ~ 40  
30 ~ 60  
40 ~ 80  
FE1  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
12345

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