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Datasheet > 晶体管 > 功率双极晶体管> KSC2334
KSC2334 PDF预览

KSC2334

更新时间： 2024-09-22 23:16:47
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关
页数 文件大小 规格书
4页 51K
描述
High Speed Switching Industrial Use

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KSC2334 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-220AB包装说明：TO-220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：7 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：40 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

KSC2334 数据手册

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KSC2334  
High Speed Switching Industrial Use  
•
Complement to KSA1010  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
*Collector Current (Pulse)  
Base Current (DC)  
150  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
100  
7
V
I
7
15  
A
C
I
I
A
CP  
B
3.5  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
40  
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
1.5  
A
T
T
Junction Temperature  
150  
J
Storage Temperature  
- 55 ~ 150  
STG  
* PW≤300µs, Duty Cycle≤10%  
Electrical Characteristics TC=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
100  
100  
Max.  
Units  
V
(sus)  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
I
= 5A, I = 0.5A, L = 1mH  
V
V
CEO  
C
C
B1  
V
(sus)1  
= 5A, I = -I = 0.5A  
B1 B2  
CEX  
V
(off) = -5V, L = 180µH, Clamped  
BE  
V
(sus)2  
Collector-Emitter Sustaining Voltage  
I
= 10A, I =1A, I = -0.5A,  
100  
V
CEX  
C
B1  
B2  
V
V
V
(off) = -5V, L = 180µH, Clamped  
BE  
CB  
CE  
I
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
Collector Cut-off Current  
= 100, I = 0  
10  
1
µA  
CBO  
E
I
= 100V, R = 51Ω@T =125°C  
mA  
CER  
BE  
C
I
I
V
V
= 100V, V (off) = -1.5V  
10  
1
µA  
mA  
CEX1  
CEX2  
CE  
CE  
BE  
= 100V, V (off) = -1.5V  
BE  
@ T = 125°C  
C
I
Emitter Cut-off Current  
* DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
10  
µA  
EBO  
EB  
C
h
h
h
V
V
V
= 5V, I = 0.5A  
40  
40  
20  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
CE  
C
= 5V, I = 3A  
240  
C
= 5V, I = 5A  
FE3  
C
V
V
(sat)  
(sat)  
* Collector-Emitter Saturation Voltage  
* Base-Emitter Saturation Voltage  
Turn On Time  
I
I
= 5A, I = 0.5A  
0.6  
1.5  
0.5  
0.5  
1.5  
V
V
CE  
BE  
C
C
B
= 5A, I = 0.5A  
B
t
t
t
V
I
= 50V, I = 5A  
µs  
µs  
µs  
ON  
CC  
C
= -I = 0.5A  
Storage Time  
B1  
B2  
STG  
F
R = 10Ω  
L
Fall Time  
* Pulse Test: PW≤350µs, Duty Cycle≤2%Pulsed  
h
Classification  
FE  
Classification  
R
O
Y
h
40 ~ 80  
70 ~ 140  
120 ~ 240  
FE2  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, August 2001  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSC2334-O SAMSUNG

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