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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> KSB1121U
KSB1121U PDF预览

KSB1121U

更新时间： 2024-10-29 13:09:11
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管开关
页数 文件大小 规格书
5页 431K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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KSB1121U 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.8Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：2 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：280JESD-30 代码：R-PSSO-F3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.5 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：150 MHz
最大关闭时间（toff）：375 ns最大开启时间（吨）：60 ns
Base Number Matches：1

KSB1121U 数据手册

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July 2005  
KSB1121  
PNP Epitaxial Planar Silicon Transistor  
High Current Driver Applications  
•
•
•
•
Low Collector-Emitter Saturation Voltage  
Large Current Capacity  
Fast Switching Speed  
Complement to KSD1621  
Marking  
1 1  
P Y  
2 1  
W W  
SOT-89  
1
Weekly code  
Year code  
hFE grage  
1. Base 2. Collector 3. Emitter  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Ratings  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
-30  
-25  
-6  
V
V
V
A
VCEO  
VEBO  
IC  
-2  
PC  
PC*  
Collector Power Dissipation  
500  
1.3  
mW  
W
TJ  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
°C  
°C  
TSTG  
-55 ~ 150  
* Mounted on Ceramic Board (250mm2 x 0.8mm)  
Electrical Characteristics Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
BVCBO  
BVCEO  
BVEBO  
ICBO  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
IC = -10µA, IE = 0  
-30  
-25  
-6  
V
IC = -1mA, IB = 0  
IE = -10µA, IC = 0  
VCB = -20V, IE = 0  
VBE = -4V, IC = 0  
VCE = -2V, IC = -0.1A  
V
V
-100  
-100  
560  
nA  
nA  
IEBO  
Emitter Cut-off Current  
hFE1  
hFE2  
DC Current Gain  
100  
65  
V
CE = -2V, IC = -1.5A  
VCE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC = -1.5A, IB = -75mA  
IC = -1.5A, IB = -75mA  
-0.35  
-0.85  
-0.6  
-1.2  
V
V
V
BE (sat)  
©2005 Fairchild Semiconductor Corporation  
KSB1121 Rev. B1  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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与KSB1121U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KSB1121-U SAMSUNG

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3
KSB1149 FAIRCHILD

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 		Low Collector Saturation Voltage Built-in Damper Diode at E-C
KSB1149 SAMSUNG

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic
KSB1149G FAIRCHILD

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic
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 		暂无描述
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