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KSB1121-R

更新时间: 2024-10-30 07:35:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 91K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-89, 3 PIN

KSB1121-R 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-89
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.21.00.75风险等级:5.73
最大集电极电流 (IC):2 A集电极-发射极最大电压:25 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):100
JESD-30 代码:R-PSSO-F3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:PNP认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子形式:FLAT
端子位置:SINGLE晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):150 MHz
Base Number Matches:1

KSB1121-R 数据手册

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