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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | QFP, QFP100,.63X.87 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 最长访问时间： | 4 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 138 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PQFP-G100 | 内存密度： | 18874368 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 18 |
| 端子数量： | 100 | 字数： | 1048576 words |
| 字数代码： | 1000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 1MX18 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | QFP |
| 封装等效代码： | QFP100,.63X.87 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLATPACK | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.03 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.38 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.635 mm | 端子位置： | QUAD |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM718V089T-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM718V089T-54 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| KM718V089T-72 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 1MX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM718V090H-67 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100 |
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| KM718V090H-72 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX18, 4ns, CMOS, PQFP100 |
|
| KM718V687T-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM718V687T-9 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 64KX18, 9ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
|
| KM718V847-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 256KX18, 10ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| KM718V887 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Kx18 Synchronous SRAM |
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| KM718V887-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX18, 7.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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