是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 3.3 ns |
其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE | 最大时钟频率 (fCLK): | 185 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 22 mm |
内存密度: | 18874368 bit | 内存集成电路类型: | CACHE SRAM |
内存宽度: | 18 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 119 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX18 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | BGA |
封装等效代码: | BGA119,7X17,50 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5/3.3,3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.03 A |
最小待机电流: | 3.14 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.45 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM718V089H-60 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
KM718V089H-72 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 4ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
KM718V089P-60 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX18, 3.5ns, CMOS, PQFP100 | |
KM718V089P-67 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100 | |
KM718V089P-72 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX18, 4ns, CMOS, PQFP100 | |
KM718V089T-10 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 4.5ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM718V089T-54 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM718V089T-72 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 1MX18, 4ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
KM718V090H-67 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 1MX18, 3.8ns, CMOS, PQFP100 | |
KM718V090H-72 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 1MX18, 4ns, CMOS, PQFP100 |