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KM718V087T-80000

更新时间: 2024-11-15 05:15:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 572K
描述
Cache SRAM, 1MX18, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100

KM718V087T-80000 数据手册

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KM736V987  
KM718V087  
512Kx36 & 1Mx18 Synchronous SRAM  
Document Title  
512Kx36 & 1Mx18-Bit Synchronous Burst SRAM  
Revision History  
Rev.No.  
History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial draft  
March. 17 . 1999  
Preliminary  
0.1  
0.2  
1. Update ICC & ISB values.  
May. 27. 1999  
June. 22. 1999  
Preliminary  
Preliminary  
1. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -8 .  
2. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -9 .  
3. Change tOE from 3.5ns to 4.0ns at -10 .  
0.3  
1. Change ISB value from 130mA to 80mA at -8 .  
2. Change ISB value from 120mA to 70mA at -9 .  
3. Change ISB value from 120mA to 60mA at -10 .  
Sep. 04. 1999  
Preliminary  
0.4  
1.0  
1. Change tCYC value from 12ns to 10ns at -9 .  
1. Final Spec Release.  
Oct. 28. 1999  
Dec. 08. 1999  
Preliminary  
Final  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
December 1999  
- 1 -  
Rev 1.0  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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