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KM6168000LRI-7L

更新时间: 2024-11-10 19:44:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 146K
描述
Standard SRAM, 512KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, REVERSE, TSOP2-44

KM6168000LRI-7L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2-R, TSOP44,.46,32
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.92最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G44
JESD-609代码:e0长度:18.41 mm
内存密度:8388608 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:16功能数量:1
端子数量:44字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX16输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装等效代码:TSOP44,.46,32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
最大待机电流:0.00003 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.8 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

KM6168000LRI-7L 数据手册

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Preliminary  
KM6168000 Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
512Kx16 bit Low Power CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
June 18, 1999  
Remark  
0.0  
Initial draft  
Advance  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to yourquestions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 0.0  
June 1999  

与KM6168000LRI-7L相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM6168000LT-7L SAMSUNG

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