5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > K9F2G08Q0M-YCB00
K9F2G08Q0M-YCB00 PDF预览

K9F2G08Q0M-YCB00

更新时间： 2024-01-31 21:34:33
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
38页 601K
描述
Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

K9F2G08Q0M-YCB00 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP1
包装说明：12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.77
最长访问时间：30 ns其他特性：CONTAINS ADDITIONAL 64M BIT NAND FLASH
JESD-30 代码：R-PDSO-G48长度：18.4 mm
内存密度：2147483648 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：8功能数量：1
端子数量：48字数：268435456 words
字数代码：256000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：256MX8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP1封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
编程电压：1.8 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大供电电压 (Vsup)：1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：1.7 V标称供电电压 (Vsup)：1.8 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
类型：SLC NAND TYPE宽度：12 mm
Base Number Matches：1

K9F2G08Q0M-YCB00 数据手册

 浏览型号K9F2G08Q0M-YCB00的Datasheet PDF文件第2页浏览型号K9F2G08Q0M-YCB00的Datasheet PDF文件第3页浏览型号K9F2G08Q0M-YCB00的Datasheet PDF文件第4页浏览型号K9F2G08Q0M-YCB00的Datasheet PDF文件第5页浏览型号K9F2G08Q0M-YCB00的Datasheet PDF文件第6页浏览型号K9F2G08Q0M-YCB00的Datasheet PDF文件第7页 
Preliminary  
FLASH MEMORY  
K9F2G08Q0M K9F2G16Q0M  
K9F2G08U0M K9F2G16U0M  
Document Title  
256M x 8 Bit / 128M x 16 Bit NAND Flash Memory  
Revision History  
Revision No History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
0.1  
1. Initial issue  
Sep. 19.2001  
Advance  
Nov. 22. 2002  
Preliminary  
1. Add the Rp vs tr ,tf & Rp vs Ibusy graph for 1.8V device (Page 34)  
2. Add the data protection Vcc guidence for 1.8V device - below about  
1.1V. (Page 35)  
Mar. 6.2003  
Apr. 2. 2003  
Preliminary  
Preliminary  
0.2  
0.3  
The min. Vcc value 1.8V devices is changed.  
K9F2GXXQ0M : Vcc 1.65V~1.95V --> 1.70V~1.95V  
Few current value is changed.  
Before  
Unit : us  
K9F2GXXU0M  
K9F2GXXQ0M  
Typ.  
Max.  
100  
±20  
±20  
Typ.  
Max.  
100  
±20  
±20  
ISB2  
20  
-
20  
-
ILI  
ILO  
-
-
After  
K9F2GXXQ0M  
K9F2GXXU0M  
Typ.  
Max.  
50  
Typ.  
Max.  
50  
ISB2  
ILI  
10  
-
10  
-
±10  
±10  
±10  
±10  
ILO  
-
-
0.4  
1. The 3rd Byte ID after 90h ID read command is don’t cared.  
The 5th Byte ID after 90h ID read command is deleted.  
2. Note is added.  
Apr. 9. 2003  
Preliminary  
(VIL can undershoot to -0.4V and VIH can overshoot to VCC +0.4V for  
durations of 20 ns or less.)  
3. Pb-free Package is added.  
K9F2G08Q0M-PCB0,PIB0  
K9F2G08U0M-PCB0,PIB0  
K9F2G16U0M-PCB0,PIB0  
K9F2G16Q0M-PCB0,PIB0  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the  
right to change the specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions about device. If you  
have any questions, please contact the SAMSUNG branch office near your office.  
1
1234567...38

中文翻译

下载PDF

与K9F2G08Q0M-YCB00相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F2G08R0A SAMSUNG

获取价格

 		FLASH MEMORY
K9F2G08R0A-J SAMSUNG

获取价格

 		FLASH MEMORY
K9F2G08R0A-JCB0 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 256MX8, 30ns, PBGA63,
K9F2G08R0A-JIB0 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 256MX8, 30ns, PBGA63
K9F2G08R0A-JIB00 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 256MX8, 30ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
K9F2G08R0A-JIB0000 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 256MX8, 30ns, PBGA63
K9F2G08R0A-JIB0T SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 256MX8, 30ns, PBGA63,
K9F2G08U0A SAMSUNG

获取价格

 		FLASH MEMORY
K9F2G08U0A-I SAMSUNG

获取价格

 		FLASH MEMORY
K9F2G08U0A-ICB0 SAMSUNG

获取价格

 		Flash, 256MX8, 20ns, PBGA52

与K9F2G08Q0M-YCB00相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证