是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.84 |
最长访问时间: | 20 ns | 命令用户界面: | YES |
数据轮询: | NO | 内存密度: | 2147483648 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 部门数/规模: | 2K |
端子数量: | 52 | 字数: | 268435456 words |
字数代码: | 256000000 | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 256MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LGA |
封装等效代码: | LGA52(UNSPEC) | 封装形式: | GRID ARRAY |
页面大小: | 2K words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 部门规模: | 128K |
最大待机电流: | 0.00005 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.02 mA | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | BUTT | 端子位置: | BOTTOM |
切换位: | NO | 类型: | NAND TYPE |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K9F2G08U0A-P | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY | |
K9F2G08U0A-PCB0 | SAMSUNG |
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Flash, 256MX8, 20ns, PDSO48 | |
K9F2G08U0A-PCB00 | SAMSUNG |
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Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP1-48 | |
K9F2G08U0A-PCB0T | SAMSUNG |
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Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP1-48 | |
K9F2G08U0A-PIB0 | SAMSUNG |
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Flash, 256MX8, 20ns, PDSO48, | |
K9F2G08U0A-PIB00 | SAMSUNG |
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Flash, 256MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP1-48 | |
K9F2G08U0B | SAMSUNG |
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256M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F2G08U0B-P | SAMSUNG |
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256M x 8 Bit NAND Flash Memory | |
K9F2G08U0C | SAMSUNG |
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2Gb C-die NAND Flash | |
K9F2G08U0C-H | SAMSUNG |
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2Gb C-die NAND Flash |