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K9F2G08R0A-JIB00

更新时间： 2024-01-14 07:40:20

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
44页	999K
描述
Flash, 256MX8, 30ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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K9F2G08R0A-JIB00 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	10 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63
针数：	63	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.77	最长访问时间：	30 ns
命令用户界面：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PBGA-B63	长度：	13 mm
内存密度：	2147483648 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	2K
端子数量：	63	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA63,10X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：	2K words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	SLC NAND TYPE
宽度：	10 mm	Base Number Matches：	1

K9F2G08R0A-JIB00 数据手册

K9F2G08R0A

K9F2G08U0A

FLASH MEMORY

K9F2G08UXA

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