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K6T1008C2E-DB70

更新时间: 2024-09-19 22:28:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 192K
描述
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

K6T1008C2E-DB70 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:0.600 INCH, DIP-32
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.82Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32长度:41.91 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:1
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.05 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

K6T1008C2E-DB70 数据手册

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K6T1008C2E Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Data  
Remark  
0.0  
1.0  
Design target  
October 12, 1998  
August 30, 1999  
Preliminary  
Final  
Finalize  
- Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product.  
- Remove 55ns speed bin from industrial product.  
1.01  
2.0  
Errata correction  
Revise  
December 1, 1999  
February 14, 2000  
March 3, 2000  
Final  
Final  
3.0  
Revise  
- Add 55ns parts to industrial products.  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 3.0  
March 2000  

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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32
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