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K6T1008C2E-DB7000

更新时间： 2024-09-21 06:27:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	190K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32

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K6T1008C2E-DB7000 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	DIP,	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.79
最长访问时间：	70 ns	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
长度：	41.91 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	DIP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	座面最大高度：	5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子节距：	2.54 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

K6T1008C2E-DB7000 数据手册

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K6T1008C2E Family

CMOS SRAM

Document Title

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Data

Remark

0.0

1.0

Design target

October 12, 1998

August 30, 1999

Preliminary

Final

Finalize

- Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product.

- Remove 55ns speed bin from industrial product.

1.01

2.0

Errata correction

Revise

December 1, 1999

February 14, 2000

March 3, 2000

Final

3.0

Revise

- Add 55ns parts to industrial products.

4.0

Revise

May 30, 2002

Final

- Add automotive temperature products

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 4.0

May 2002

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6T1008C2E-DL55	SAMSUNG	获取价格	128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
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