是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.89 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 | 长度: | 41.91 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP32,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 5 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.00002 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6T1008C2E-F | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6T1008C2E-GB55 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6T1008C2E-GB550 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
K6T1008C2E-GB55T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | |
K6T1008C2E-GB70 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6T1008C2E-GB700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
K6T1008C2E-GB70T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 | |
K6T1008C2E-GF55 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
K6T1008C2E-GF55T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 | |
K6T1008C2E-GF70 | SAMSUNG |
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128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |