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K6T1008C2E-DL700

更新时间: 2024-11-08 14:43:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 190K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32

K6T1008C2E-DL700 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:DIP包装说明:DIP, DIP32,.6
针数:32Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.89Is Samacsys:N
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDIP-T32长度:41.91 mm
内存密度:1048576 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装等效代码:DIP32,.6封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.08 mm最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.05 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
宽度:15.24 mmBase Number Matches:1

K6T1008C2E-DL700 数据手册

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K6T1008C2E Family  
CMOS SRAM  
Document Title  
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Data  
Remark  
0.0  
1.0  
Design target  
October 12, 1998  
August 30, 1999  
Preliminary  
Final  
Finalize  
- Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product.  
- Remove 55ns speed bin from industrial product.  
1.01  
2.0  
Errata correction  
Revise  
December 1, 1999  
February 14, 2000  
March 3, 2000  
Final  
Final  
3.0  
Revise  
- Add 55ns parts to industrial products.  
4.0  
Revise  
May 30, 2002  
Final  
- Add automotive temperature products  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
1
Revision 4.0  
May 2002  

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