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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DIP | 包装说明： | DIP, DIP32,.6 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.89 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T32 | 长度： | 41.91 mm |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 5.08 mm | 最大待机电流： | 0.00002 A |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 15.24 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T1008C2E-F | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| K6T1008C2E-GB55 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| K6T1008C2E-GB550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| K6T1008C2E-GB55T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T1008C2E-GB70 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| K6T1008C2E-GB700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| K6T1008C2E-GB70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, PLASTIC, SOP-32 |
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| K6T1008C2E-GF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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| K6T1008C2E-GF55T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T1008C2E-GF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |
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