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K6T1008C2E-GF55T

更新时间： 2024-11-25 21:00:31

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	139K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32

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技术参数
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K6T1008C2E-GF55T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SOP, SOP32,.56	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.92	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.05 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K6T1008C2E-GF55T 数据手册

K6T1008C2E Family

CMOS SRAM

Document Title

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Data

Remark

0.0

1.0

Design target

October 12, 1998

August 30, 1999

Preliminary

Final

Finalize

- Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product.

- Remove 55ns speed bin from industrial product.

1.01

2.0

Errata correction

Revise

December 1, 1999

February 14, 2000

March 3, 2000

Final

3.0

Revise

- Add 55ns parts to industrial products.

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 3.0

March 2000

12 3 4 5 6 7...10

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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