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K6T1008C2E-TB55

更新时间： 2024-01-08 01:16:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
10页	192K
描述
128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

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K6T1008C2E-TB55 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP32,.8,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	最长访问时间：	55 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	32	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	128KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP32,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.00001 A	最小待机电流：	2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.05 mA
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

K6T1008C2E-TB55 数据手册

K6T1008C2E Family

CMOS SRAM

Document Title

128Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

Revision History

Revision No. History

Draft Data

Remark

0.0

1.0

Design target

October 12, 1998

August 30, 1999

Preliminary

Final

Finalize

- Improve tWP form 55ns to 50ns for 70ns product.

- Remove 55ns speed bin from industrial product.

1.01

2.0

Errata correction

Revise

December 1, 1999

February 14, 2000

March 3, 2000

Final

3.0

Revise

- Add 55ns parts to industrial products.

The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserves the right to change the specifications and

products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.

Revision 3.0

March 2000

12 3 4 5 6 7...10

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