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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | TSOP1, |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 100 ns |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 11.8 mm | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 28 |
| 字数： | 32768 words | 字数代码： | 32000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32KX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.55 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 8 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T0808U1D-TF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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| K6T0808U1D-TF70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28 |
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| K6T0808U1D-TF850 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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| K6T0808V1D-GB70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28 |
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| K6T0808V1D-GD700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28 |
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| K6T0808V1D-GF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28 |
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| K6T0808V1D-GF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28 |
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| K6T0808V1D-GF70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28 |
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| K6T0808V1D-RB10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 |
|
| K6T0808V1D-RB70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28 |
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