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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP28,.53,22 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.88 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 262144 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 8 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP28,.53,22 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 反向引出线： | YES | 最小待机电流： | 2 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.035 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.55 mm | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T0808V1D-TB100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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| K6T0808V1D-TB10T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 |
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| K6T0808V1D-TB700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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| K6T0808V1D-TB70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28 |
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| K6T0808V1D-TD10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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| K6T0808V1D-TD10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 |
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| K6T0808V1D-TD70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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| K6T0808V1D-TF100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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| K6T0808V1D-TF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 |
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| K6T0908U2B-TB10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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