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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP1 | 包装说明： | TSOP1, TSSOP32,.8,20 |
| 针数： | 32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 100 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PDSO-G32 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 524288 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 65536 words |
| 字数代码： | 64000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 64KX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSOP1 |
| 封装等效代码： | TSSOP32,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 电源： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 最小待机电流： | 2 V | 子类别： | SRAMs |
| 最大压摆率： | 0.025 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T0908U2B-YF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T0908U2B-YF85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T0908V2B-TB10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T0908V2B-TB85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T0908V2B-TF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| K6T0908V2B-TF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T0908V2B-TF85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
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| K6T0908V2B-YF100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 |
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| K6T0908V2B-YF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| K6T0908V2B-YF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 |
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