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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | TSOP1, |
| 针数： | 28 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.41 |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 70 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G28 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 11.8 mm |
| 内存密度： | 262144 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 28 | 字数： | 32768 words |
| 字数代码： | 32000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32KX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.55 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6T0808V1D-TB70T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28 |
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| K6T0808V1D-TD10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
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| K6T0808V1D-TD10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 |
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| K6T0808V1D-TD70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
|
| K6T0808V1D-TF100 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 |
|
| K6T0808V1D-TF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 |
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| K6T0908U2B-TB10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
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| K6T0908U2B-TB85T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 |
|
| K6T0908U2B-TF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |
|
| K6T0908U2B-YF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |
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