是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP1, |
针数: | 28 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.92 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 70 ns | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP1 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | TIN LEAD |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
宽度: | 8 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6T0808V1D-TB70T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28 | |
K6T0808V1D-TD10 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
K6T0808V1D-TD10T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 | |
K6T0808V1D-TD70 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
K6T0808V1D-TF100 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
K6T0808V1D-TF10T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 | |
K6T0908U2B-TB10 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
K6T0908U2B-TB85T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 | |
K6T0908U2B-TF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
K6T0908U2B-YF10T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32 |