是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | TSSOP, TSSOP28,.53,22 | Reach Compliance Code: | compliant |
风险等级: | 5.88 | 最长访问时间: | 100 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 262144 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
端子数量: | 28 | 字数: | 32768 words |
字数代码: | 32000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.035 mA | 标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.55 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K6T0808V1D-TB700 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
K6T0808V1D-TB70T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28 | |
K6T0808V1D-TD10 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
K6T0808V1D-TD10T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 | |
K6T0808V1D-TD70 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
K6T0808V1D-TF100 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
K6T0808V1D-TF10T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28 | |
K6T0908U2B-TB10 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 | |
K6T0908U2B-TB85T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 64KX8, 85ns, CMOS, PDSO32 | |
K6T0908U2B-TF10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 64KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32 |