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K6T0808U1D-TF70T

更新时间： 2024-01-15 20:37:30

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K6T0808U1D-TF70T 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP28,.53,22	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.88	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G28
JESD-609代码：	e0	内存密度：	262144 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
端子数量：	28	字数：	32768 words
字数代码：	32000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32KX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP28,.53,22	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3 V	认证状态：	Not Qualified
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.035 mA	标称供电电压 (Vsup)：	3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.55 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

K6T0808V1D, K6T0808U1D Family

CMOS SRAM

Document Title

32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM

Revision History

Revision No.

History

Draft Data

Remark

0.0

Initial draft

April 1, 1997

Preliminary

1.0

Finalize

November 12, 1997

Final

- Add 70ns part in KM62U256D Family

- Show ICC read only, and increased value

ICC = 2mA ® ICC Read = 5mA

- Seperate ICC1 read and write

ICC1 = 5mA® ICC1 Read = 5mA, ICC1 Write = 10mA

- Improved standby current(ISB1)

Commercial part : 10mA® 5mA

Extended and Industrial part : 20mA® 5mA

- Improved VIL(Min.) : 0.4V® 0.6V

- Improved power dissipation : 0.7W® 1W

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Revision 1.0

November 1997

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
K6T0808U1D-TF850	SAMSUNG	Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28	获取价格
K6T0808V1D-GB70T	SAMSUNG	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28	获取价格
K6T0808V1D-GD700	SAMSUNG	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28	获取价格
K6T0808V1D-GF70	SAMSUNG	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28	获取价格
K6T0808V1D-GF700	SAMSUNG	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28	获取价格
K6T0808V1D-GF70T	SAMSUNG	Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28	获取价格