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Datasheet > K6T0808U1D-TF70T
K6T0808U1D-TF70T PDF预览

K6T0808U1D-TF70T

更新时间： 2024-02-12 21:44:42
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 152K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28

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K6T0808U1D-TF70T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TSSOP, TSSOP28,.53,22Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.88最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：3 V认证状态：Not Qualified
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.55 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

K6T0808U1D-TF70T 数据手册

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K6T0808V1D, K6T0808U1D Family  
CMOS SRAM  
AC OPERATING CONDITIONS  
TEST CONDITIONS (Test Load and Test Input/Output Reference)  
Input pulse level : 0.4 to 2.4V  
Input rising and falling time : 5ns  
1)  
CL  
Input and output reference voltage : 1.5V  
Output load (See right) :CL=100pF+1TTL  
1)  
CL =30pF+1TTL  
1. Including scope and jig capacitance  
1. Refer to AC CHARACTERISTICS  
AC CHARACTERISTICS (K6T0808V1D Family : Vcc=3.0~3.6V, , K6T0808U1D Family : Vcc=2.7~3.3V  
Commercial product :TA=0 to 70°C, Extended product :TA=-25 to 85°C, Industrial product : TA=-40 to 85°C)  
Speed Bins  
85ns  
701)ns  
Parameter List  
Symbol  
Units  
100ns  
Min  
Max  
Min  
Max  
Min  
100  
-
Max  
Read cycle time  
tRC  
tAA  
70  
-
-
70  
70  
35  
-
85  
-
-
85  
85  
40  
-
-
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
ns  
Address access time  
100  
Chip select to output  
tCO  
tOE  
-
-
-
100  
Output enable to valid output  
Chip select to low-Z output  
Output enable to low-Z output  
Chip disable to high-Z output  
Output disable to high-Z output  
Output hold from address  
Write cycle time  
-
-
-
50  
-
Read  
tLZ  
10  
5
10  
5
10  
5
tOLZ  
tHZ  
-
-
-
0
30  
30  
-
0
30  
30  
-
0
35  
35  
-
tOHZ  
tOH  
tWC  
tCW  
tAS  
0
0
0
5
10  
85  
70  
0
15  
100  
80  
0
70  
60  
0
-
-
-
Chip select to end of write  
Address set-up time  
-
-
-
-
-
-
Address valid to end of write  
Write pulse width  
tAW  
tWP  
tWR  
tWHZ  
tDW  
tDH  
60  
50  
0
-
70  
60  
0
-
80  
70  
0
-
-
-
-
Write  
Write recovery time  
-
-
-
Write to output high-Z  
Data to write time overlap  
Data hold from write time  
End write to output low-Z  
0
25  
-
0
25  
-
0
35  
-
30  
0
35  
0
40  
0
-
-
-
tOW  
5
-
10  
-
10  
-
1. The parameter is measured with 30pF test load  
DATA RETENTION CHARACTERISTICS  
Item  
Vcc for data retention  
Data retention current  
Data retention set-up time  
Recovery time  
Symbol  
VDR  
Test Condition  
CS³ Vcc-0.2V  
Vcc=3.0V, CS³ Vcc-0.2V  
Min  
2.0  
-
Typ  
Max  
Unit  
V
-
3.6  
IDR  
5
-
mA  
tSDR  
0
-
-
See data retention waveform  
ms  
tRDR  
5
-
Revision 1.0  
November 1997  
5
123456789

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与K6T0808U1D-TF70T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K6T0808U1D-TF850 SAMSUNG Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

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K6T0808V1D-GB70T SAMSUNG Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28

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K6T0808V1D-GD700 SAMSUNG Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.450 INCH, PLASTIC, SOP-28

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