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K6T0808U1D-TF70T

更新时间： 2024-01-27 11:18:11
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 152K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28

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K6T0808U1D-TF70T 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Active
包装说明：TSSOP, TSSOP28,.53,22Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.88最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0内存密度：262144 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：28字数：32768 words
字数代码：32000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
组织：32KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH并行/串行：PARALLEL
电源：3 V认证状态：Not Qualified
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.035 mA标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.55 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

K6T0808U1D-TF70T 数据手册

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K6T0808V1D, K6T0808U1D Family  
CMOS SRAM  
32Kx8 bit Low Power and Low Voltage CMOS Static RAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
• Process Technology: 0.4mm CMOS  
• Organization: 32Kx8  
The K6T0808V1D and K6T0808U1D families are fabricated  
by SAMSUNG's advanced CMOS process technology. The  
families support various operating temperature range and  
have various package types for user flexibility of system  
design. The families also support low data retention voltage  
for battery back-up operation with low data retention current.  
• Power Supply Voltage  
K6T0808V1D family: 3.0~3.6V  
K6T0808U1D family: 2.7~3.3V  
• Low Data Retention Voltage: 2V(Min)  
• Three state output and TTL Compatible  
• Package Type: 28-SOP-450, 28-TSOP1-0813.4F/R  
PRODUCT FAMILY  
Power Dissipation  
Operating Tempera-  
Product Family  
VCC Range  
Speed  
PKG Type  
Standby  
Operating  
(Icc2, Max)  
ture  
(ISB1, Max)  
701)/100ns  
701)/85/100ns  
701)/100ns  
K6T0808V1D-B  
K6T0808U1D-B  
K6T0808V1D-D  
K6T0808U1D-D  
K6T0808V1D-F  
K6T0808U1D-F  
3.0V ~3.6V  
2.7V ~ 3.3V  
3.0V ~3.6V  
2.7V ~ 3.3V  
3.0V ~3.6V  
2.7V ~ 3.3V  
Commercial(0~70°C)  
Extended(-25~85°C)  
Industrial(-40~85°C)  
28-SOP2)  
28-TSOP1-F/R  
5mA  
35mA  
701)/85/100ns  
701)/100ns  
701)/85/100ns  
1. The parameter is measured with 30pF test load.  
2. K6T0808V1D Family support SOP package without 100ns speed bin.  
PIN DESCRIPTION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A10  
CS  
OE  
A11  
A9  
Clk gen.  
Precharge circuit.  
2
3
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
VSS  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
4
A8  
A13  
A8  
A14  
A12  
A7  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
VCC  
WE  
A13  
A8  
5
A13  
WE  
VCC  
A14  
A12  
A7  
6
2
28-TSOP  
Type1 - Forward  
7
A12  
A14  
A4  
8
3
Memory array  
256 rows  
128´ 8 columns  
9
Row  
select  
4
A6  
10  
11  
12  
13  
14  
A6  
5
A9  
A5  
A5  
A5  
A6  
A7  
A1  
A4  
6
A11  
OE  
A4  
A2  
A3  
7
A3  
28-SOP  
8
14  
13  
12  
11  
10  
9
A3  
A4  
A10  
CS  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
A2  
A2  
A1  
9
I/O Circuit  
A1  
I/O1  
I/O8  
Data  
cont  
A5  
A0  
A6  
Column select  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O8  
CS  
10  
11  
12  
13  
14  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A0  
A7  
A12  
A14  
VCC  
WE  
A13  
A8  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
8
28-TSOP  
Type1 - Reverse  
Data  
cont  
7
6
5
4
A10 A3 A0 A1 A2 A9 A11  
A9  
3
A11  
2
1
A10  
OE  
CS  
Control  
logic  
Pin Name  
A0~A14  
WE  
Function  
Pin Name  
Function  
WE  
OE  
Address Inputs  
I/O1~I/O8 Data Inputs/Outputs  
Write Enable Input  
Chip Select Input  
Output Enable Input  
Vcc  
Vss  
NC  
Power  
CS  
Ground  
OE  
No connect  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to change products and specifications without notice.  
Revision 1.0  
November 1997  
2
1234567...9

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与K6T0808U1D-TF70T相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
K6T0808U1D-TF850 SAMSUNG Standard SRAM, 32KX8, 85ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28

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