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K6F2016R4G-FF850

更新时间： 2024-11-11 14:51:47

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	160K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 80ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

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K6F2016R4G-FF850 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	80 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
长度：	7 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VFBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1 mm
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

K6F2016R4G-FF850 数据手册

Preliminary

K6F2016R4G Family

CMOS SRAM

2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM

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Revision 0.0

April 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6F2016R4G-XF70	SAMSUNG	获取价格	2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM
K6F2016R4G-XF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48
K6F2016R4G-XF85	SAMSUNG	获取价格	2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM
K6F2016S3M-TC12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-TC15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-TI12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-TI15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-ZI15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, 6.20 X 13.75 MM, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-48
K6F2016S4D-FF70	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F2016S4D-FF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48

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