Datasheet > K6F2016R4G-XF700

K6F2016R4G-XF700

更新时间： 2024-11-11 15:36:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	160K
描述
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-48

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K6F2016R4G-XF700 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA,
针数：	48	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.83	最长访问时间：	70 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e1
长度：	7 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端子数量：	48	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.65 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	TIN SILVER COPPER
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

K6F2016R4G-XF700 数据手册

Preliminary

K6F2016R4G Family

CMOS SRAM

2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE, TO ANY INTELLECTUAL PROP-

ERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Revision 0.0

April 2005

- 1 -

12 3 4 5 6 7...10

中文翻译

下载PDF

与K6F2016R4G-XF700相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K6F2016R4G-XF85	SAMSUNG	获取价格	2Mb(128K x 16 bit) Low Power SRAM
K6F2016S3M-TC12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-TC15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-TI12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-TI15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K6F2016S3M-ZI15	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, 6.20 X 13.75 MM, 0.75 MM PITCH, MICRO, BGA-48
K6F2016S4D-FF70	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F2016S4D-FF700	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F2016S4D-FF85	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
K6F2016S4D-FF85T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PBGA48

与K6F2016R4G-XF700相关文章

国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

23
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

7
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
2024-11-14

8
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K6F2016R4G-XF700

K6F2016R4G-XF700 技术参数

K6F2016R4G-XF700 数据手册

与K6F2016R4G-XF700相关器件

与K6F2016R4G-XF700相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K6F2016R4G-XF700

K6F2016R4G-XF700 技术参数

K6F2016R4G-XF700 数据手册

与K6F2016R4G-XF700相关器件

与K6F2016R4G-XF700相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？