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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | FBGA, BGA48,6X8,30 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.92 | 最长访问时间： | 85 ns |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B48 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 2097152 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 16 |
| 端子数量： | 48 | 字数： | 131072 words |
| 字数代码： | 128000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128KX16 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA48,6X8,30 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.000002 A | 最小待机电流： | 1.5 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.025 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.75 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K6F2016S4E-EF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6F2016S4E-EF85 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, TBGA-48 |
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| K6F2016T6E-TF450 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 128KX16, 45ns, CMOS, PDSO48, 12 X 18 MM, TSOP1-48 |
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| K6F2016U4D | SAMSUNG |
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128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F2016U4D-F | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F2016U4D-FF55 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F2016U4D-FF550 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 |
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| K6F2016U4D-FF70 | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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| K6F2016U4D-FF700 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 128KX16, 70ns, CMOS, PBGA48, 6 X 7 MM, 0.75 MM PITCH, FBGA-48 |
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| K6F2016U4E | SAMSUNG |
获取价格 |
128K x16 bit Super Low Power and Low Voltage Full CMOS Static RAM |
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