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K4B1G0846D-HCF8

更新时间： 2024-11-01 11:31:59

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

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K4B1G0846D-HCF8 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TFBGA, BGA82,11X13,32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
访问模式：	MULTI BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.3 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B82	JESD-609代码：	e1
长度：	11 mm	内存密度：	1073741824 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	82
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	128MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA82,11X13,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	8	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.27 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	9 mm	Base Number Matches：	1

K4B1G0846D-HCF8 数据手册

1Gb DDR3 SDRAM

K4B1G04(08/16)46D

1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification

82 / 100 FBGA with Lead-Free & Halogen-Free

(RoHS Compliant)

CAUTION :

* This document includes some items still under discussion in JEDEC.

* Therefore, those may be changed without pre-notice based on JEDEC progress.

* And it’s highly recommended not to send the spec without Samsung’s permission.

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE

CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE, EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHER-

WISE, TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOL-

OGY. ALL INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED ON AS "AS IS" BASIS WITHOUT

GUARANTEE OR WARRANTY OF ANY KIND.

1. For updates or additional information about Samsung products, contact your nearest Samsung office.

2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar

applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military or

defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.1 August 2008

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4B1G0846D-HCH9	SAMSUNG	获取价格	1Gb D-die DDR3 SDRAM Specification
K4B1G0846D-HCH90	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA82, ROHS COMPLIANT, FBGA-82
K4B1G0846E	SAMSUNG	获取价格	DDR3 SDRAM Memory
K4B1G0846E-HCF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.15ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0846E-HCK0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.1ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0846F	SAMSUNG	获取价格	DDR3 SDRAM Memory
K4B1G0846F-HCF8	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0846F-HCF8T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.3ns, CMOS, PBGA78,
K4B1G0846F-HCH9	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 128MX8, 0.255ns, CMOS, PBGA78,

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