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JS28F512M29EWLA

更新时间: 2024-01-19 11:20:55
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存存储内存集成电路光电二极管
页数 文件大小 规格书
75页 855K
描述
Parallel NOR Flash Embedded Memory

JS28F512M29EWLA 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP包装说明:14 X 20 MM, GREEN, TSOP-56
针数:56Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.45Is Samacsys:N
最长访问时间:110 ns备用内存宽度:8
启动块:BOTTOM/TOPJESD-30 代码:R-PDSO-G56
长度:18.4 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:16
功能数量:1端子数量:56
字数:33554432 words字数代码:32000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32MX16
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
编程电压:3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED类型:NOR TYPE
宽度:14 mmBase Number Matches:1

JS28F512M29EWLA 数据手册

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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
Features  
Table 3: Part Numbers with Security Features by Density, Medium, and Package  
Package  
PC  
Density  
Medium  
JS  
RC  
256Mb  
Tray  
PC28F256M29EWHD  
PC28F256M29EWLD  
Tape and Reel  
Tray  
512Mb  
1Gb  
PC28F512M29EWHA  
PC28F512M29EWLE  
PC28F512M29EWHE  
PC28F00AM29EWHD  
PC28F00AM29EWLE  
Tape and Reel  
Tray  
Tape and Reel  
1. This data sheet covers only standard parts. For security parts, contact your local Micron sales representative.  
Note:  
PDF: 09005aef849b4b09  
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
3
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