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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | LEAD FREE, TSOP-56 |
| 针数： | 56 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.46 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 110 ns | 启动块： | TOP |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PDSO-G56 |
| 长度： | 18.4 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | FLASH | 内存宽度： | 16 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 4,511 |
| 端子数量： | 56 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 32MX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP56,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 页面大小： | 16 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 电源： | 1.8,1.8/3.3 V | 编程电压： | 3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 16K,64K | 最大待机电流： | 0.000225 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.05 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 切换位： | NO |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JS28F512P30TFA | MICRON |
获取价格 |
Numonyx Axcell P30-65nm Flash Memory |
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| JS28F512P33BFD | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
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| JS28F512P33EFA | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
|
| JS28F512P33TFA | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
|
| JS28F640J3A-110 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| JS28F640J3A-115 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
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| JS28F640J3A-120 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| JS28F640J3A-125 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| JS28F640J3A-150 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
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| JS28F640J3C-110 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
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