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JS28F512P30TF

更新时间： 2024-01-14 21:00:03

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
82页	979K
描述
Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56

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JS28F512P30TF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	LEAD FREE, TSOP-56
针数：	56	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.46	Is Samacsys：	N
最长访问时间：	110 ns	启动块：	TOP
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
长度：	18.4 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	部门数/规模：	4,511
端子数量：	56	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	16 words	并行/串行：	PARALLEL
电源：	1.8,1.8/3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	16K,64K	最大待机电流：	0.000225 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

JS28F512P30TF 数据手册

Numonyx™ Axcell™ P30-65nm Flash Memory

512-Mbit, 1-Gbit Monolithic

Datasheet

Product Features

High performance:

Enhanced Security:

— 100ns initial access time for Easy BGA

— 110ns initial access time for TSOP

— 25ns 16-word asynchronous-page read mode

— 52MHz with zero WAIT states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 4-, 8-, 16- and continuous-word options for

burst mode

— Absolute write protection: VPP = VSS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

— Password Access feature

— One-Time Programmable Register:

— 64 OTP bits, programmed with unique

information by Numonyx

— Buffered Enhanced Factory Programming at

2.0MByte/s (typ) using 512-word buffer

— 1.8V buffered programming at 1.46MByte/s

(Typ) using 512-word buffer

— 2112 OTP bits, available for customer

programming

Software:

Architecture:

— 20µs (Typ) program suspend

— 20µs (Typ) erase suspend

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density

at Lowest Cost

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Function

Interface (EFI) Command Set compatible

— Common Flash Interface capable

Density and Packaging

— Symmetrically-blocked architecture

— Asymmetrically-blocked architecture, Four

32-KByte parameter blocks: Top or Bottom

configuration

— 56-Lead TSOP (512-Mbit, 1-Gbit)

— 64-Ball Easy BGA (512-Mbit, 1-Gbit)

— 16-bit wide data bus

— 128-KByte array blocks

— Blank Check to verify an erase block

Voltage and Power:

Quality and Reliability

— VCC (core) voltage: 1.7V – 2.0V

— VCCQ (I/O) voltage: 1.7V – 3.6V

— Standby current: 70µA(Typ) for 512-Mbit,

75µA(Typ) for 1-Gbit

— Operating temperature: –40°C to +85°C

— Minimum 100,000 erase cycles

— Numonyx™ ETOX™ X process technology

— Continuous synchronous read current: 21mA

(Typ)/24mA (Max) at 52MHz

Datasheet

Aug 2009

Order Number: 208042-02

12 3 4 5 6 7...82

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