是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | LEAD FREE, TSOP-56 |
针数: | 56 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.46 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 110 ns | 启动块: | BOTTOM |
命令用户界面: | YES | 通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | NO | JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 4,511 |
端子数量: | 56 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 32MX16 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP56,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 16 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 1.8,1.8/3.3 V | 编程电压: | 3 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 16K,64K | 最大待机电流: | 0.000225 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.8 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | NO |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
JS28F512P30BFA | NUMONYX |
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Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56 | |
JS28F512P30BFA | MICRON |
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Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard | |
JS28F512P30EF | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) | |
JS28F512P30EF | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56 | |
JS28F512P30EFA | MICRON |
获取价格 |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard | |
JS28F512P30TF | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) | |
JS28F512P30TF | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56 | |
JS28F512P30TFA | MICRON |
获取价格 |
Numonyx Axcell P30-65nm Flash Memory | |
JS28F512P33BFD | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) | |
JS28F512P33EFA | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |