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JS28F512P30BFA

更新时间： 2024-12-01 14:59:03
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON PC
页数 文件大小 规格书
132页 1301K
描述
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hardening precautions for the handling and assembly of semiconductor die, wafers, packages, and PCBs.

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JS28F512P30BFA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.71最长访问时间：110 ns
其他特性：BOTTOM BOOT启动块：BOTTOM
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：4,511端子数量：56
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8,1.8/3.3 V编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,64K最大待机电流：0.000225 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.031 mA
最大供电电压 (Vsup)：2 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

JS28F512P30BFA 数据手册

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Micron Confidential and Proprietary  
4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 NAND Flash Memory  
Features  
NAND Flash Memory  
MT29F4G08ABADAH4, MT29F4G08ABADAWP, MT29F4G08ABBDAH4,  
MT29F4G08ABBDAHC, MT29F4G16ABADAH4, MT29F4G16ABADAWP,  
MT29F4G16ABBDAH4, MT29F4G16ABBDAHC, MT29F8G08ADADAH4,  
MT29F8G08ADBDAH4, MT29F8G16ADADAH4, MT29F8G16ADBDAH4,  
MT29F16G08AJADAWP  
• First block (block address 00h) is valid when ship-  
ped from factory with ECC. For minimum required  
ECC, see Error Management.  
• Block 0 requires 1-bit ECC if PROGRAM/ERASE cy-  
cles are less than 1000  
Features  
• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0-compliant1  
• Single-level cell (SLC) technology  
• Organization  
– Page size x8: 2112 bytes (2048 + 64 bytes)  
– Page size x16: 1056 words (1024 + 32 words)  
– Block size: 64 pages (128K + 4K bytes)  
– Plane size: 2 planes x 2048 blocks per plane  
– Device size: 4Gb: 4096 blocks; 8Gb: 8192 blocks  
16Gb: 16,384 blocks  
• RESET (FFh) required as first command after pow-  
er-on  
• Alternate method of device initialization (Nand_In-  
it) after power up (contact factory)  
• Internal data move operations supported within the  
plane from which data is read  
• Quality and reliability  
– Data retention: 10 years  
– Endurance: 100,000 PROGRAM/ERASE cycles  
• Operating voltage range  
• Asynchronous I/O performance  
–
tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)  
• Array performance  
– Read page: 25µs 3  
– Program page: 200µs (TYP: 1.8V, 3.3V)3  
– Erase block: 700µs (TYP)  
– VCC: 2.7–3.6V  
– VCC: 1.7–1.95V  
• Operating temperature:  
• Command set: ONFI NAND Flash Protocol  
• Advanced command set  
– Commercial: 0°C to +70°C  
– Industrial (IT): –40ºC to +85ºC  
• Package  
– Program page cache mode4  
– Read page cache mode 4  
– 48-pin TSOP type 1, CPL2  
– 63-ball VFBGA  
– One-time programmable (OTP) mode  
– Two-plane commands 4  
– Interleaved die (LUN) operations  
– Read unique ID  
– Block lock (1.8V only)  
– Internal data move  
• Operation status byte provides software method for  
detecting  
1. The ONFI 1.0 specification is available at  
www.onfi.org.  
Notes:  
2. CPL = Center parting line.  
3. See Program and Erase Characteristics for  
tR_ECC and tPROG_ECC specifications.  
4. These commands supported only with ECC  
disabled.  
– Operation completion  
– Pass/fail condition  
– Write-protect status  
• Ready/Busy# (R/B#) signal provides a hardware  
method of detecting operation completion  
• WP# signal: Write protect entire device  
PDF: 09005aef83b25735  
m60a_4gb_8gb_16gb_ecc_nand.pdf - Rev. N 10/12 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
1
© 2009 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  
Products and specifications discussed herein are subject to change by Micron without notice.  
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JS28F512P30BFA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JS28F512M29EWLA MICRON

类似代替

 Parallel NOR Flash Embedded Memory
JS28F512M29EWHA MICRON

类似代替

 Parallel NOR Flash Embedded Memory
S29GL512P11TFI010 CYPRESS

功能相似

 Flash, 512MX1, 110ns, PDSO56, TSOP-56

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JS28F512P30EF MICRON

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JS28F512P30EF NUMONYX

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 		Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56
JS28F512P30EFA MICRON

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 		Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard
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