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JS28F512P30TFA

更新时间： 2024-12-01 12:28:31
品牌 Logo 应用领域
镁光 - MICRON 闪存
页数 文件大小 规格书
86页 11765K
描述
Numonyx Axcell P30-65nm Flash Memory

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JS28F512P30TFA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：TSSOP, TSSOP56,.8,20Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.77最长访问时间：110 ns
其他特性：TOP BOOT启动块：TOP
命令用户界面：YES通用闪存接口：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G56
JESD-609代码：e3长度：18.4 mm
内存密度：536870912 bit内存集成电路类型：FLASH
内存宽度：16功能数量：1
部门数/规模：4,511端子数量：56
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：SYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：32MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP56,.8,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：16 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：260
电源：1.8,1.8/3.3 V编程电压：1.8 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
部门规模：16K,64K最大待机电流：0.000225 A
子类别：Flash Memories最大压摆率：0.031 mA
最大供电电压 (Vsup)：2 V最小供电电压 (Vsup)：1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：1.8 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：30切换位：NO
类型：NOR TYPE宽度：14 mm
Base Number Matches：1

JS28F512P30TFA 数据手册

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Numonyx® Axcell™ P30-65nm Flash Memory  
512-Mbit, 1-Gbit , 2-Gbit  
Datasheet  
Product Features  
„ High performance:  
„ Enhanced Security:  
— Absolute write protection: VPP = VSS  
— Power-transition erase/program lockout  
— Individual zero-latency block locking  
— Individual block lock-down capability  
— Password Access feature  
Easy BGA:  
— 100ns initial access time (512-Mbit, 1-Gbit)  
— 105ns initial access time (2-Gbit)  
— 25ns 16-word asynchronous-page read mode  
— 52MHz with zero WAIT states, 17ns clock-to-  
data output synchronous-burst read mode  
— 4-, 8-, 16- and continuous-word options for  
burst mode  
— One-Time Programmable Register:  
— 64 OTP bits, programmed with unique  
information by Numonyx  
— 2112 OTP bits, available for customer  
programming  
TSOP:  
— 110ns initial access time  
„ Software:  
Easy BGA and TSOP:  
— Buffered Enhanced Factory Programming at  
2.0MByte/s (typ) using 512-word buffer  
— 1.8V buffered programming at 1.46MByte/s  
(Typ) using 512-word buffer  
— 25µs (Typ) program suspend  
— 30µs (Typ) erase suspend  
®
— Numonyx Flash Data Integrator optimized  
— Basic Command Set and Extended Function  
Interface (EFI) Command Set compatible  
— Common Flash Interface capable  
„ Architecture:  
— Multi-Level Cell Technology: Highest Density  
at Lowest Cost  
„ Density and Packaging  
— Symmetrically-blocked architecture (512-  
Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit)  
— 56-Lead TSOP (512-Mbit, 1-Gbit)  
— 64-Ball Easy BGA (512-Mbit, 1-Gbit, 2-Gbit)  
— 16-bit wide data bus  
— Asymmetrically-blocked architecture, Four 32-  
KByte parameter blocks: Top or Bottom  
configuration (512-Mbit, 1-Gbit)  
— 128-KByte array blocks  
„ Quality and Reliability  
— JESD47E Compliant  
— Blank Check to verify an erase block  
— Operating temperature: –40°C to +85°C  
— Minimum 100,000 erase cycles  
— 65nm process technology  
„ Voltage and Power:  
— VCC (core) voltage: 1.7V – 2.0V  
— VCCQ (I/O) voltage: 1.7V – 3.6V  
— Standby current: 70µA(Typ) for 512-Mbit,  
75µA(Typ) for 1-Gbit  
— Continuous synchronous read current (Easy  
BGA): 21mA (Typ)/24mA (Max) at 52MHz  
Datasheet  
1
Sept 2012  
Order Number: 208042-06  
1234567...86

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JS28F512P33BFD MICRON

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