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JS28F512P30BFA

更新时间： 2024-11-30 20:55:59

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恒忆 - NUMONYX		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
82页	979K
描述
Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56

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JS28F512P30BFA 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	LEAD FREE, TSOP-56	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.46
最长访问时间：	110 ns	启动块：	BOTTOM
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	长度：	18.4 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	功能数量：	1
端子数量：	56	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	32MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	并行/串行：	PARALLEL
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大供电电压 (Vsup)：	2 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

JS28F512P30BFA 数据手册

Numonyx™ Axcell™ P30-65nm Flash Memory

512-Mbit, 1-Gbit Monolithic

Datasheet

Product Features

High performance:

Enhanced Security:

— 100ns initial access time for Easy BGA

— 110ns initial access time for TSOP

— 25ns 16-word asynchronous-page read mode

— 52MHz with zero WAIT states, 17ns clock-to-

data output synchronous-burst read mode

— 4-, 8-, 16- and continuous-word options for

burst mode

— Absolute write protection: VPP = VSS

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down capability

— Password Access feature

— One-Time Programmable Register:

— 64 OTP bits, programmed with unique

information by Numonyx

— Buffered Enhanced Factory Programming at

2.0MByte/s (typ) using 512-word buffer

— 1.8V buffered programming at 1.46MByte/s

(Typ) using 512-word buffer

— 2112 OTP bits, available for customer

programming

Software:

Architecture:

— 20µs (Typ) program suspend

— 20µs (Typ) erase suspend

— Multi-Level Cell Technology: Highest Density

at Lowest Cost

— Numonyx™ Flash Data Integrator optimized

— Basic Command Set and Extended Function

Interface (EFI) Command Set compatible

— Common Flash Interface capable

Density and Packaging

— Symmetrically-blocked architecture

— Asymmetrically-blocked architecture, Four

32-KByte parameter blocks: Top or Bottom

configuration

— 56-Lead TSOP (512-Mbit, 1-Gbit)

— 64-Ball Easy BGA (512-Mbit, 1-Gbit)

— 16-bit wide data bus

— 128-KByte array blocks

— Blank Check to verify an erase block

Voltage and Power:

Quality and Reliability

— VCC (core) voltage: 1.7V – 2.0V

— VCCQ (I/O) voltage: 1.7V – 3.6V

— Standby current: 70µA(Typ) for 512-Mbit,

75µA(Typ) for 1-Gbit

— Operating temperature: –40°C to +85°C

— Minimum 100,000 erase cycles

— Numonyx™ ETOX™ X process technology

— Continuous synchronous read current: 21mA

(Typ)/24mA (Max) at 52MHz

Datasheet

Aug 2009

Order Number: 208042-02

12 3 4 5 6 7...82

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