5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | TSOP | 包装说明： | LEAD FREE, TSOP-56 |
| 针数： | 56 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.47 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 110 ns | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | NO |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G56 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 512 | 端子数量： | 56 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP56,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 页面大小： | 16 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 1.8,1.8/3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.000225 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 1.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 1.8 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 14 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JS28F512P30EFA | MICRON |
获取价格 |
Anticipating electrostatic discharge (ESD) technology roadmap trends with ESD control hard |
|
| JS28F512P30TF | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm) |
|
| JS28F512P30TF | NUMONYX |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56, LEAD FREE, TSOP-56 |
|
| JS28F512P30TFA | MICRON |
获取价格 |
Numonyx Axcell P30-65nm Flash Memory |
|
| JS28F512P33BFD | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
|
| JS28F512P33EFA | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
|
| JS28F512P33TFA | MICRON |
获取价格 |
Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P33-65nm) |
|
| JS28F640J3A-110 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| JS28F640J3A-115 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
| JS28F640J3A-120 | INTEL |
获取价格 |
Intel StrataFlash Memory (J3) |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
