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JMTE035N04A

更新时间： 2023-12-06 19:59:54

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中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTE035N04A 数据手册

JMTE035N04A

Figure 8: Normalized on Resistance vs.

Figure 7: Normalized Breakdown Voltage vs.

Junction Temperature

RDS(on)

VBR(DSS)

2.5

1.3

1.2

2.0

1.5

1.1

1.0

0.5

0.9

Tj (℃)

-100

-50

100

150

200

-100

-50

100

150

200

Figure 9: Maximum Safe Operating Area

Figure 10: Maximum Continuous Drain Current

vs. Case Temperature

ID(A)

180

10⁴

Limited by RDS(on)

150

120

10³

10²

10μs

100μs

1ms

10ms

10¹

10⁰

100ms

TC=25℃

Single pulse

Tc (℃)

75 100

VDS (V)

0.1

100

125

150

175

Figure.11: Maximum Effective

Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

ZthJ-C(℃/W)

10¹

10⁰

10^-1

D=0.5

D=0.2

D=0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

10^-2

10^-3

Notes:

Single pulse 1.Duty factor D=t1/t2

2.Peak TJ=PDM*ZthJC+TC

TP(s)

10^-6

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

10⁰

10¹

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.0

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