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JMTE060N06A

更新时间： 2024-11-24 14:54:51

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捷捷微 - JJM		/
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6页	343K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTE060N06A 数据手册

JMTE060N06A

Description

JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 60V, 120A

 Load Switch

R_DS(ON)< 6mΩ @ V_GS= 10V

 PWM Application

 Power management

 Advanced Trench Technology

 Provide Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

TO-263-3L top view

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

Size

Reel

Per Carton

(PCS)

Device Marking

Device

OUTLINE

Device Package

(PCS)

JMTE060N06A

TAPING

TO-263-3L

13inch

800

4000

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

±25

Gate-Source Voltage

T_C= 25℃

120

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^note1

T_C= 100℃

I_DM

EAS

P_D

480

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

225

Power Dissipation

T_C= 25℃

181

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

0.83

℃/W

℃

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +175

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.1

- 1 -

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