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JMTG100N06A

更新时间： 2024-11-24 14:52:27

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捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
6页	370K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTG100N06A 数据手册

JMTG100N06A

Description

JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 60V, 55A

 Load Switch

R_DS(ON)<9.4mΩ @ V_GS= 10V

 PWM Application

 Power Management

R_DS(ON)<13mΩ @ V_GS= 4.5V

 Advanced Trench Technology

 Provide Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead Free

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

PDFN5x6-8L

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(pcs)

Per Carton

(pcs)

Device Marking

Device

Outline

Package

Reel Size

60N04

JMTG100N06A

TAPING

PDFN5x6-8L

13”

2500

25000

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

±20

Gate-Source Voltage

T_C= 25℃

I_D

Continuous Drain Current

T_C= 100℃

Pulsed Drain Current ^note1

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

Power Dissipation

I_DM

E_AS

220

121

P_D

T_C= 25℃

Thermal Resistance, Junction to Case

R_θJC

T_J, T_STG

2.4

℃/W

℃

Operating and Storage Temperature Range

-55 to +150

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

Version :1.3

- 1 -

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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