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JMTG016N04A

更新时间： 2024-11-24 14:53:55

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捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
6页	377K
描述
中压 N-ch (40V ~ 400V)

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JMTG016N04A 数据手册

JMTG016N04A

Description

JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 40V, 210A

 Load Switch

R_DS(ON)<1.6mΩ @ V_GS=10V

 PWM Application

R_DS(ON)<3.0mΩ @ V_GS=4.5V

 Power management

 Advanced Trench Technology

 Provide Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead free product is acquired

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

PDFN5X6-8L

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Reel

(PCS)

Per Carton

(PCS)

Device Marking

Device

OUTLINE

Device Package

Reel Size

G016N04A

JMTG016N04A

TAPING

PDFN5-8L

13inch

2500

25000

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

±20

Gate-Source Voltage

T_C= 25℃

210

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^note1

T_C= 100℃

137

I_DM

E_AS

840

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

420

P_D

Power Dissipation

T_C= 25℃

120

R_θJC

Thermal Resistance, Junction to Case

1.0

℃/W

℃

T_J, T_STGOperating and Storage Temperature Range

-55 to +150

JieJie Microelectronics CO. , Ltd

Version :1.0

- 1 -

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