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JMTG018N03A

更新时间： 2024-11-24 14:54:47

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捷捷微 - JJM		/
页数	文件大小	规格书
6页	420K
描述
低压 N-ch (≤ 30V )

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JMTG018N03A 数据手册

JMTG018N03A

Description

JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

Features

Application

 30V,130A

 Load Switch

R_DS(ON)<1.8mΩ @ V_GS=10V

 PWM Application

R_DS(ON)<3.0mΩ @ V_GS=4.5V

 Advanced Trench Technology

 Excellent R_DS(ON)and Low Gate Charge

 Lead Free

 Power Management

100% UIS TESTED!

100% ΔVds TESTED!

PDFN5x6-8L

Marking and pin Assignment

Schematic Diagram

Package Marking and Ordering Information

Per Carton

(pcs)

Reel

Device Marking

Device

Outline

Package

Reel Size

(pcs)

G018N03A

JMTG018N03A TAPING

PDFN5x6-8L

13”

2500

25000

Absolute Maximum Ratings (T_C=25℃ unless otherwise specified)

Symbol

Parameter

Drain-Source Voltage

Max.

Units

V_DSS

V_GSS

±20

Gate-Source Voltage

T_C= 25℃

130

I_D

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ^note1

T_C= 100℃

I_DM

E_AS

520

Single Pulsed Avalanche Energy ^note2

225

P_D

Power Dissipation

T_C= 25℃

R_θJC

T_J, T_STG

Thermal Resistance, Junction to Case

Operating and Storage Temperature Range

2.5

℃/W

℃

-55 to +150

JieJie Microelectronics Co., Ltd.

Version :1.2

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