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JANTXVH2N7270

更新时间： 2024-01-18 04:08:51
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其他 - ETC 晶体晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
25页 120K
描述
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 11A I(D) | TO-254AA

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JANTXVH2N7270 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A001.A.1.AHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.1其他特性：RADIATION HARDENED
雪崩能效等级（Eas）：500 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.45 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-XBCC-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：RECTANGULAR
封装形式：CHIP CARRIER峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A认证状态：Not Qualified
参考标准：MIL-19500/603E子类别：FET General Purpose Powers
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

JANTXVH2N7270 数据手册

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The documentation and process conversion  
measures necessary to comply with this  
INCH-POUND  
revision shall be completed by 15 February 1998  
MIL-PRF-19500/603C  
15 November 1997  
SUPERSEDING  
MIL-PRF-19500/603B  
3 May 1996  
PERFORMANCE SPECIFICATION SHEET  
SEMICONDUCTOR DEVICE, FIELD EFFECT RADIATION HARDENED  
(TOTAL DOSE ONLY) TRANSISTORS, N-CHANNEL, SILICON  
TYPES 2N7268, 2N7269, 2N7270, 2N7394, 2N7268U, 2N7269U, 2N7270U, AND 2N7394U  
JANTXVR, F, G, AND H; AND JANSR, F, G, AND H  
This specification is approved for use by all Depart-  
ments and Agencies of the Department of Defense.  
1. SCOPE  
1.1 Scope. This specification covers the performance requirements for an N-channel, enhancement-mode, MOSFET, radiation  
hardened (total dose only), power. Two levels of product assurance are provided for each device type specified in MIL-PRF-19500, with  
avalanche energy maximum rating (E ) and maximum avalanche current (I ).  
AS AS  
1.2 Physical dimensions. See figure 1, TO-254AA and figure 2 (surface mount).  
1.3 Maximum ratings. Unless otherwise specified, T = +25°C.  
C
Type  
5/  
P
1/  
P
V
V
V
I
2/  
I
I
I
T
V
ISO  
70,000 ft  
altitude  
T
T
DS  
DG  
GS  
D1  
D2  
S
DM  
op  
and  
T
= +25°C  
3/  
T
= +100°C  
2/  
4/  
T
STG  
A
C
W
W
V dc  
V dc  
V dc  
A dc  
A dc  
A dc  
A(pk)  
°C  
V dc  
2N7394  
2N7268  
2N7269  
2B6270  
150  
150  
150  
150  
4
4
4
4
60  
100  
200  
500  
60  
100  
200  
500  
±20  
±20  
±20  
±20  
35.0  
34.0  
26.0  
11.0  
30.0  
21.0  
16.0  
7.0  
35.0  
34.0  
26.0  
11.0  
200  
136  
104  
44  
-55  
to  
N/A  
N/A  
N/A  
500  
+150  
1/ Derate linearly 1.2 W/°C for T > +25°C;  
C
max -  
TJ  
TC  
TJ  
2 /  
=
I D  
(
)x(  
at  
rDSon  
max )  
Rθ  
JC  
3/ I may be limited by pin diameter.  
D1  
4/ I  
DM  
+ 4 X I ; as calculated by footnote 2/.  
D1  
5/ Electrical characteristics, ratings and conditions for “U” suffix devices (surface mount) are identical to the corresponding  
non-“U” suffix devices unless otherwise noted.  
Beneficial comments (recommendations, additions, deletions) and any pertinent data which may be of use in improving this  
document should be addressed to: Commander, Defense Supply Center Columbus, ATTN: DSCC-VAT, 3990 East Broad Street,  
Columbus, OH 43216-5000, by using the Standardization Document Improvement Proposal (DD Form 1426) appearing at the end  
of this document or by letter.  
AMSC N/A  
FSC 5961  
DISTRIBUTION STATEMENT A. Approved for public release; distribution is unlimited.  
1234567...25

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